Dr. Lutz Geelhaar

Acting Director

Head of Department Epitaxy

Lutz Geelhaar

Telefon: +49 30 20377 359

Raum: 0714

Email: geelhaar@pdi-berlin.de

 

Abteilung: Epitaxy

Core research areas: Nanofabrication , III-V nanowires for optoelectronics

 

 

161 Autor P. Dogan , O. Brandt , C. Pfüller , J. Lähnemann , U. Jahn , C. Roder , A. Trampert , L. Geelhaar , H. Riechert
Titel

Formation of high-quality GaN microcrystals by pendeoepitaxial overgrowth of GaN nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy

Source Cryst. Growth Des. , 11 , 4257 ( 2011 )
2255 Cite : Bibtex RIS
P. Dogan, O. Brandt, C. Pfüller, J. Lähnemann, U. Jahn, C. Roder, A. Trampert, L. Geelhaar, and H. Riechert

162 Autor D. Martin , A. Heinzig , M. Grube , L. Geelhaar , T. Mikolajick , H. Riechert , W. M. Weber
Titel

Direct probing of Schottky barriers in Si nanowire Schottky barrier field effect transistors

Source Phys. Rev. Lett. , 107 , 216807 ( 2011 )
Download: PDF | 2258 Cite : Bibtex RIS
D. Martin, A. Heinzig, M. Grube, L. Geelhaar, T. Mikolajick, H. Riechert, and W. M. Weber

163 Autor O. Brandt , C. Pfüller , C. Chèze , L. Geelhaar , H. Riechert
Titel

Sub-meV linewidth of excitonic luminescence in single GaN nanowires: Direct evidence for surface excitons

Source Phys. Rev. B , 81 , 045302 ( 2010 )
Download: PDF | 2009 Cite : Bibtex RIS
O. Brandt, C. Pfüller, C. Chèze, L. Geelhaar, and H. Riechert

164 Autor V. Consonni , M. Knelangen , L. Geelhaar , A. Trampert , H. Riechert
Titel

Nucleation mechanisms of epitaxial GaN nanowires: Origin of their self-induced formation and initial radius

Source Phys. Rev. B , 81 , 085310 ( 2010 )
Download: PDF | 2024 Cite : Bibtex RIS
V. Consonni, M. Knelangen, L. Geelhaar, A. Trampert, and H. Riechert

165 Autor L. Ivanova , H. Eisele , A. Lenz , R. Timm , O. Schumann , L. Geelhaar , H. Riechert , M. Dähne
Titel

Effect of nitrogen on the InAs/GaAs quantum dot formation

Source Phys. Status Solidi C , 7 , 355 ( 2010 )
2034 Cite : Bibtex RIS
L. Ivanova, H. Eisele, A. Lenz, R. Timm, O. Schumann, L. Geelhaar, H. Riechert, and M. Dähne

166 Autor C. Chèze , L. Geelhaar , O. Brandt , W. M. Weber , H. Riechert , S. Münch , R. Rothemund , S. Reitzenstein , A. Forchel , T. Kehagias , P. Komninou , G. P. Dimitrakopulos , T. Karakostas
Titel

Direct comparison of catalyst-free and catalyst-induced GaN nanowires

Source Nano Res. , 3 , 528 ( 2010 )
2069 Cite : Bibtex RIS
C. Chèze, L. Geelhaar, O. Brandt, W. M. Weber, H. Riechert, S. Münch, R. Rothemund, S. Reitzenstein, A. Forchel, T. Kehagias, P. Komninou, G. P. Dimitrakopulos, and T. Karakostas

167 Autor C. Pfüller , O. Brandt , F. Grosse , T. Flissikowski , C. Chèze , V. Consonni , L. Geelhaar , H.T. Grahn , H. Riechert
Titel

Unpinning the Fermi level in GaN nanowires by ultraviolet radiation

Source Phys. Rev. B , 82 , 045320 ( 2010 )
Download: PDF | 2075 Cite : Bibtex RIS
C. Pfüller, O. Brandt, F. Grosse, T. Flissikowski, C. Chèze, V. Consonni, L. Geelhaar, H.T. Grahn, and H. Riechert

168 Autor C. Chèze , L. Geelhaar , B. Jenichen , H. Riechert
Titel

Different growth rates for catalyst-induced and self-induced GaN nanowires

Source Appl. Phys. Lett. , 97 , 153105 ( 2010 )
2103 Cite : Bibtex RIS
C. Chèze, L. Geelhaar, B. Jenichen, and H. Riechert

169 Autor L. Lari , T. Walther , K. Black , R. T. Murray , T. J. Bullough , P. R. Chalker , C. Chèze , L. Geelhaar , H. Riechert
Titel

GaN, AlGaN, HfO2 based radial heterostructure nanowires

Source J. Phys.: Conf. Ser. , 209 , 012011 ( 2010 )
2088 Cite : Bibtex RIS
L. Lari, T. Walther, K. Black, R. T. Murray, T. J. Bullough, P. R. Chalker, C. Chèze, L. Geelhaar, and H. Riechert

170 Autor M. Hilse , M. Ramsteiner , S. Breuer , L. Geelhaar , H. Riechert
Titel

Incorporation of the dopants Si and Be into GaAs nanowires

Source Appl. Phys. Lett. , 96 , 193104 ( 2010 )
Download: PDF | 2090 Cite : Bibtex RIS
M. Hilse, M. Ramsteiner, S. Breuer, L. Geelhaar, and H. Riechert