Nanofabrication

Dr. João Marcelo Lopes

Senior Scientist

João Marcelo Lopes

Telefon: +49 30 20377 327

Raum: 0717

Email: lopes@pdi-berlin.de

 

Abteilung: Epitaxy

Core research areas: Nanofabrication

 

 

41 Autor N. M. Bom , M.H. Oliveira Jr. , G.V. Soares , C. Radtke , J. M. J. Lopes , H. Riechert
Titel

Synergistic effect of H2O and O2 on the decoupling of epitaxial monolayer graphene from SiC(0001) via thermal treatments

Source Carbon , 78 , 298 ( 2014 )
DOI : 10.1016/j.carbon.2014.07.006 | 2546 Cite : Bibtex RIS
N. M. Bom, M.H. Oliveira Jr., G.V. Soares, C. Radtke, J. M. J. Lopes, and H. Riechert

42 Autor T. Schumann , M. Dubslaff , M. H. Oliveira Jr. , M. Hanke , J. M. J. Lopes , H. Riechert
Titel

The effect of the buffer layer coupling on the lattice parameter of epitaxial graphene on SiC(0001)

Source Phys. Rev. B , 90 , 041403(R) ( 2014 )
DOI : 10.1103/PhysRevB.90.041403 | Download: PDF | 2587 Cite : Bibtex RIS
T. Schumann, M. Dubslaff, M. H. Oliveira Jr., M. Hanke, J. M. J. Lopes, and H. Riechert

43 Autor T. Schumann , M. Dubslaff , M. H. Oliveira, Jr. , M. Hanke , F. Fromm , T. Seyller , L. Nemec , V. Blum , M. Scheffler , J. M. J. Lopes , H. Riechert
Titel

Structural investigation of nanocrystalline graphene grown on (6 sqrt 3 times 6 sqrt 3)R30°-reconstructed SiC surfaces by molecular beam epitaxy

Source New J. Phys. , 15 , 123034 ( 2013 )
DOI : 10.1088/1367-2630/15/12/123034 | Download: PDF | 2523 Cite : Bibtex RIS
T. Schumann, M. Dubslaff, M. H. Oliveira, Jr., M. Hanke, F. Fromm, T. Seyller, L. Nemec, V. Blum, M. Scheffler, J. M. J. Lopes, and H. Riechert

44 Autor M. H. Oliveira Jr. , T. Schumann , F. Fromm , R. Koch , M. Ostler , M. Ramsteiner , T. Seyller , J. M. J. Lopes , H. Riechert
Titel

Formation of high-quality quasi-free-standing bilayer graphene on SiC(0001) by oxygen intercalation upon annealing in air

Source Carbon , 52 , 83 ( 2013 )
DOI : 10.1016/j.carbon.2012.09.008 | 2314 Cite : Bibtex RIS
M. H. Oliveira Jr., T. Schumann, F. Fromm, R. Koch, M. Ostler, M. Ramsteiner, T. Seyller, J. M. J. Lopes, and H. Riechert

45 Autor M. H. Oliveira Jr. , T. Schumann , R. Gargallo-Caballero , F. Fromm , T. Seyller , M. Ramsteiner , A. Trampert , L. Geelhaar , J. M. J. Lopes , H. Riechert
Titel

Mono- and few-layer nanocrystalline graphene grown on Al2O3(0001) by molecular beam epitaxy

Source Carbon , 56 , 339 ( 2013 )
2374 Cite : Bibtex RIS
M. H. Oliveira Jr., T. Schumann, R. Gargallo-Caballero, F. Fromm, T. Seyller, M. Ramsteiner, A. Trampert, L. Geelhaar, J. M. J. Lopes, and H. Riechert

46 Autor F. Fromm , M. H. Oliveira Jr. , A. Molina-Sanchez , M. Hundhausen , J. M. J. Lopes , H. Riechert , L. Wirtz , T. Seyller
Titel

Contribution of the buffer layer to the Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001)

Source New J. Phys. , 15 , 043031 ( 2013 )
Download: PDF | 2396 Cite : Bibtex RIS
F. Fromm, M. H. Oliveira Jr., A. Molina-Sanchez, M. Hundhausen, J. M. J. Lopes, H. Riechert, L. Wirtz, and T. Seyller

47 Autor P. V. Santos , T. Schumann , M. H. Oliveira Jr. , J. M. J. Lopes , H. Riechert
Titel

Acousto-electric transport in epitaxial monolayer graphene on SiC

Source Appl. Phys. Lett. , 102 , 221907 ( 2013 )
Download: PDF | 2405 Cite : Bibtex RIS
P. V. Santos, T. Schumann, M. H. Oliveira Jr., J. M. J. Lopes, and H. Riechert

48 Autor F. Ducroquet , O. Engström , H. D. B. Gottlob , J. M. J. Lopes , J. Schubert
Titel

Admittance spectroscopy of Si/LaLuO3 and Si/GdSiO MOS structures

Source ECS Trans. , 45 , 103 ( 2012 )
2301 Cite : Bibtex RIS
F. Ducroquet, O. Engström, H. D. B. Gottlob, J. M. J. Lopes, and J. Schubert

49 Autor T. Schumann , K.-J. Friedland , M. H. Oliveira Jr. , A. Tahraoui , J. M. J. Lopes , H. Riechert
Titel

Anisotropic quantum Hall effect in epitaxial graphene on stepped SiC surfaces

Source Phys. Rev. B , 85 , 235402 ( 2012 )
Download: PDF | 2307 Cite : Bibtex RIS
T. Schumann, K.-J. Friedland, M. H. Oliveira Jr., A. Tahraoui, J. M. J. Lopes, and H. Riechert

50 Autor J. M. J. Lopes , E. Durvgun Özben , M. Schnee , R. Luptak , A. Nichau , A. Tiedemann , W. Yu , Q. T. Zhao , A. Besmehn , U. Breuer , M. Luysberg , St. Lenk , J. Schubert , S. Mantl
Titel

Electrical and structural properties of ternary rare-earth oxides on Si and higher mobility substrates and their integration as high-k gate dielectrics in MOSFET devices

Source ECS Trans. , 35 , 461 ( 2011 )
2184 Cite : Bibtex RIS
J. M. J. Lopes, E. Durvgun Özben, M. Schnee, R. Luptak, A. Nichau, A. Tiedemann, W. Yu, Q. T. Zhao, A. Besmehn, U. Breuer, M. Luysberg, St. Lenk, J. Schubert, and S. Mantl