Intersubband Emitters: GaAs-based Quantum-Cascade Lasers

Dr. Jonas Lähnemann

Scientist

Jonas Lähnemann

phone: +49 30 20377 450

room: 0530

email: jonas@pdi-berlin.de

 

Department: Semiconductor Spectroscopy

Core research areas: Nanoanalytics , III-V nanowires for optoelectronics

 

Research interests:

Luminescence spectroscopy, Analytical scanning electron microscopy, Semiconductor nanowires, III-V semiconductors for optoelectronic applications, Thin-film solar cells

 

 

41 Author U. Jahn , J. Lähnemann , C. Pfüller , O. Brandt , S. Breuer , B. Jenichen , M. Ramsteiner , L. Geelhaar , H. Riechert
Title

Luminescence of GaAs nanowires consisting of wurtzite and zinc-blende segments

Source Phys. Rev. B , 85 , 045323 ( 2012 )
DOI : 10.1103/PhysRevB.85.045323 | Download: PDF | 2275 Cite : Bibtex RIS
U. Jahn, J. Lähnemann, C. Pfüller, O. Brandt, S. Breuer, B. Jenichen, M. Ramsteiner, L. Geelhaar, and H. Riechert

42 Author F. Gericke , T. Flissikowski , J. Lähnemann , F. Katmis , W. Braun , H. Riechert , H.T. Grahn
Title

Optical switching and related structural properties of epitaxial Ge2Sb2Te5 films

Source J. Appl. Phys. , 111 , 113524 ( 2012 )
Download: PDF | 2304 Cite : Bibtex RIS
F. Gericke, T. Flissikowski, J. Lähnemann, F. Katmis, W. Braun, H. Riechert, and H.T. Grahn

43 Author J. Lähnemann , O. Brandt , C. Pfüller , T. Flissikowski , U. Jahn , E. Luna , M. Hanke , M. Knelangen , A. Trampert , H.T. Grahn
Title

Coexistence of quantum-confined Stark effect and localized states in an (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructure

Source Phys. Rev. B , 84 , 155303 ( 2011 )
DOI : 10.1103/PhysRevB.84.155303 | Download: PDF | 2266 Cite : Bibtex RIS
J. Lähnemann, O. Brandt, C. Pfüller, T. Flissikowski, U. Jahn, E. Luna, M. Hanke, M. Knelangen, A. Trampert, and H.T. Grahn

44 Author C. Gao , O. Brandt , J. Lähnemann , J. Herfort , H.-P. Schönherr , U. Jahn , B. Jenichen
Title

Effect of growth temperature on the structural, morphological and magnetic properties of Fe films on GaN(0001)

Source J. Cryst. Growth , 323 , 359 ( 2011 )
2155 Cite : Bibtex RIS
C. Gao, O. Brandt, J. Lähnemann, J. Herfort, H.-P. Schönherr, U. Jahn, and B. Jenichen

45 Author H. Riechert , O. Brandt , C. Chèze , V. Consonni , M. Knelangen , J. Lähnemann , F. Limbach , C. Pfüller , A. Trampert , M. Wölz , L. Geelhaar
Title

Nitride nanowire structures for LED applications

Source Proc. SPIE , 7954 , 79540S ( 2011 )
Download: PDF | 2188 Cite : Bibtex RIS
H. Riechert, O. Brandt, C. Chèze, V. Consonni, M. Knelangen, J. Lähnemann, F. Limbach, C. Pfüller, A. Trampert, M. Wölz, and L. Geelhaar

46 Author W. Bergbauer , M. Strassburg , Ch. Kölper , N. Linder , C. Roder , J. Lähnemann , A. Trampert , S. Fündling , S.F. Li , H.-H. Wehmann , A. Waag
Title

N-face GaN nanorods: Continuous-flux MOVPE growth and morphological properties

Source J. Cryst. Growth , 315 , 164 ( 2011 )
2204 Cite : Bibtex RIS
W. Bergbauer, M. Strassburg, Ch. Kölper, N. Linder, C. Roder, J. Lähnemann, A. Trampert, S. Fündling, S.F. Li, H.-H. Wehmann, and A. Waag

47 Author S. C. Erwin , C. X. Gao , C. Roder , J. Lähnemann , O. Brandt
Title

Epitaxial interfaces between crystallographically mismatched materials

Source Phys. Rev. Lett. , 107 , 026102 ( 2011 )
Download: PDF | 2220 Cite : Bibtex RIS
S. C. Erwin, C. X. Gao, C. Roder, J. Lähnemann, and O. Brandt

48 Author Y. Takagaki , B. Jenichen , U. Jahn , M. Ramsteiner , K.-J. Friedland , J. Lähnemann
Title

Hot wall epitaxy of topological insulator films

Source Semicond. Sci. Technol. , 26 , 125009 ( 2011 )
2236 Cite : Bibtex RIS
Y. Takagaki, B. Jenichen, U. Jahn, M. Ramsteiner, K.-J. Friedland, and J. Lähnemann

49 Author E. Dimakis , J. Lähnemann , U. Jahn , S. Breuer , M. Hilse , L. Geelhaar , H. Riechert
Title

Self-assisted nucleation and vapor solid growth of InAs nanowires on bare Si(111)

Source Cryst. Growth Des. , 11 , 4001 ( 2011 )
2253 Cite : Bibtex RIS
E. Dimakis, J. Lähnemann, U. Jahn, S. Breuer, M. Hilse, L. Geelhaar, and H. Riechert

50 Author P. Dogan , O. Brandt , C. Pfüller , J. Lähnemann , U. Jahn , C. Roder , A. Trampert , L. Geelhaar , H. Riechert
Title

Formation of high-quality GaN microcrystals by pendeoepitaxial overgrowth of GaN nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy

Source Cryst. Growth Des. , 11 , 4257 ( 2011 )
2255 Cite : Bibtex RIS
P. Dogan, O. Brandt, C. Pfüller, J. Lähnemann, U. Jahn, C. Roder, A. Trampert, L. Geelhaar, and H. Riechert

Contact

Prof. Dr. Holger T. Grahn

Head of Department 

+49 30 20377-318

htgrahn@pdi-berlin.de

Dr. Lutz Schrottke

Senior Scientist

+49 30 20377-339

lutz@pdi-berlin.de