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Prof. Dr. Henning Riechert

Director

Henning Riechert

phone: +49 30 20377 365

room: 0613

email: riechert@pdi-berlin.de

 

 

Research interests:

Epitaxy, Physics and Applications of III-V Semiconductors, Optoelectronics, Materials for Nanoelectronics

 

 

161 Author V. M. Kaganer , O. Brandt , H. Riechert , K. K. Sabelfeld
Title

X-ray diffraction of epitaxial films with arbitrarily correlated dislocations: Monte Carlo calculation and experiment

Source Phys. Rev. B , 80 , 033306 ( 2009 )
Download: PDF | 2018 Cite : Bibtex RIS
V. M. Kaganer, O. Brandt, H. Riechert, and K. K. Sabelfeld

162 Author M. Hilse , Y. Takagaki , J. Herfort , M. Ramsteiner , C. Herrmann , S. Breuer , L. Geelhaar , H. Riechert
Title

Ferromagnet-semiconductor nanowire coaxial heterostructures grown by molecular-beam epitaxy

Source Appl. Phys. Lett. , 95 , 133126 ( 2009 )
Download: PDF | 2032 Cite : Bibtex RIS
M. Hilse, Y. Takagaki, J. Herfort, M. Ramsteiner, C. Herrmann, S. Breuer, L. Geelhaar, and H. Riechert

163 Author D. Martin , M. Grube , W. M. Weber , J. Rüstig , O. Bierwagen , L. Geelhaar , H. Riechert
Title

Local charge transport in nanoscale amorphous and crystalline regions of high-k (ZrO2)0.8(Al2O3)0.2 thin films

Source Appl. Phys. Lett. , 95 , 142906 ( 2009 )
Download: PDF | 2045 Cite : Bibtex RIS
D. Martin, M. Grube, W. M. Weber, J. Rüstig, O. Bierwagen, L. Geelhaar, and H. Riechert

164 Author X. J. Wang , Y. Puttisong , C. W. Tu , A. J. Ptak , V. K. Kalevich , A. Yu. Egorov , L. Geelhaar , H. Riechert , W. M. Chen , I. A. Buyanova
Title

Dominant recombination centers in Ga(In)NAs alloys: Ga interstitials

Source Appl. Phys. Lett. , 95 , 241904 ( 2009 )
Download: PDF | 2046 Cite : Bibtex RIS
X. J. Wang, Y. Puttisong, C. W. Tu, A. J. Ptak, V. K. Kalevich, A. Yu. Egorov, L. Geelhaar, H. Riechert, W. M. Chen, and I. A. Buyanova

165 Author V. Consonni , M. Knelangen , U. Jahn , A. Trampert , L. Geelhaar , H. Riechert
Title

Effects of nanowire coalescence on their structural and optical properties on a local scale

Source Appl. Phys. Lett. , 95 , 241910 ( 2009 )
Download: PDF | 2053 Cite : Bibtex RIS
V. Consonni, M. Knelangen, U. Jahn, A. Trampert, L. Geelhaar, and H. Riechert

166 Author S. Fündling , U. Jahn , A. Trampert , H. Riechert , H.-H. Wehmann , A. Waag
Title

Metal-organic vapour-phase epitaxy of gallium nitride nanostructures for optoelectronic applications

Source Microelectron. J. , 40 , 333 ( 2009 )
2060 Cite : Bibtex RIS
S. Fündling, U. Jahn, A. Trampert, H. Riechert, H.-H. Wehmann, and A. Waag

167 Author W. Braun , R. Shayduk , T. Flissikowski , H.T. Grahn , H. Riechert , P. Fons , A. Kolobov
Title

Epitaxial phase change materials: Growth and switching of Ge2Sb2Te5 on GaSb(001)

Source Proc. MRS 1160 , H14-05 ( 2009 )
2087 Cite : Bibtex RIS
W. Braun, R. Shayduk, T. Flissikowski, H.T. Grahn, H. Riechert, P. Fons, and A. Kolobov

168 Author S. Fündling , Ü. Sökmen , E. Peiner , T. Weimann , P. Hinze , U. Jahn , A. Trampert , H. Riechert , A. Bakin , H.-H. Wehmann , A. Waag
Title

Gallium nitride heterostructures on 3D structured silicon

Source Nanotechnol. , 19 , 405301 ( 2008 )
1948 Cite : Bibtex RIS
S. Fündling, Ü. Sökmen, E. Peiner, T. Weimann, P. Hinze, U. Jahn, A. Trampert, H. Riechert, A. Bakin, H.-H. Wehmann, and A. Waag

169 Author D.-S. Jiang , M. Ramsteiner , O. Brandt , K. H. Ploog , H. Tews , A. Graber , R. Averbeck , H. Riechert
Title

Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate

Source Proc. ISCS 24 , 156 , 211 ( 1998 )
1001 Cite : Bibtex RIS
D.-S. Jiang, M. Ramsteiner, O. Brandt, K. H. Ploog, H. Tews, A. Graber, R. Averbeck, and H. Riechert

170 Author D. S. Jiang , M. Ramsteiner , K. H. Ploog , H. Tews , A. Graber , R. Averbeck , H. Riechert
Title

Defect-induced Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in hexagonal GaN on a sapphire substrate

Source Appl. Phys. Lett. , 72 , 365 ( 1998 )
Download: PDF | 1002 Cite : Bibtex RIS
D. S. Jiang, M. Ramsteiner, K. H. Ploog, H. Tews, A. Graber, R. Averbeck, and H. Riechert